| О фирме | Новости | Продажи | Каталоги | Предложения | Справочник | Карта сайта |
| В начало раздела |

Энергонезависимая статическая память (NV SRAM)

Выпуск микросхем энергонезависимой статической памяти принес фирме Dallas Semicunductor мировую известность. В корпусе микросхемы размещается кристалл микромощной памяти, встроенный литиевый источник питания и управляющая схема, контролирующая соответствие напряжения питания допустимым пределам. При падении напряжения питания ниже некоторых пределов подключается внутренняя батарейка. Кроме того, управляющая схема обеспечивает автоматическую защиту записи при пропадании питания, причем гарантируется сохранение данных в памяти в течение 10 лет при полном отсутствии внешнего питания. Кристалл имеет внутренний изолирующий слой, который позволяет электрически отключать литиевый источник при хранении изделия на складе. При первом включении слой автоматически разрушается, что обеспечивает сохранение энергии литиевого источника до момента использования.

Фирма Dallas Semiconductor выпускает энергонезависимую память как в виде модулей, совместимых по выводам с DIP корпусами аналогичных по объему типов SRAM и EEPROM памяти, так и в виде готовых SIMM модулей большого объема с гибкой конфигурацией 128Кх32, 256Кх16 или 512Кх8. Кроме того, фирма производит память в корпусе PCM (PowerCap Module), который представляет собой низкопрофильный модуль с 34 выводами для монтажа на поверхность, имеющий дополнительную съемную часть (PowerCap) DS9034PC с литиевой батарейкой.


Тип Организация
памяти		 Vcc,
V		 Перекл. внутр.
бат. - % Vcc		 Тип корпуса Время доступа, нс Темпер.
диапазон		 Примечание
Стандартная энергонезависимая статическая память
DS1220AB 2K x 85±5%DIP24100,120,150,200 Com, IndIL
DS1220AD 2K x 85±10%DIP24100,120,150,200 Com, IndIL
DS1220Y 2K x 85±10%DIP24100,120,150,200 Com, Ind
DS1225AB 8K x 85±5%DIP2870,85,150,170,200 Com, IndIL
DS1225AD 8K x 85±10%DIP2870,85,150,170,200 Com, IndIL
DS1225Y 8K x 85±10%DIP28150,170,200 Com, Ind
DS1230AB 32K x 85±5%DIP28, PCM3470,85,100,120,150,200 Com, IndIL
DS1230BL* 32K x 85±5%LPM3470,100 Com, IndIL
DS1230W 32K x 83.3±0.3VDIP28, PCM34150 Com, IndIL
DS1230Y 32K x 85±10%DIP28, PCM3470,85,100,120,150,200 Com, IndIL
DS1230YL* 32K x 85±10%LPM3470,100 Com, IndIL
DS1245AB 128K x 85±5%DIP32, PCM3470,85,100,120 Com, IndIL
DS1245BL* 128K x 85±5%LPM3470,100 Com, IndIL
DS1245W 128K x 83.3±0.3VDIP32, PCM34100, 150 Com, IndIL
DS1245Y 128K x 85±10%DIP32, PCM3470,85,100,120 Com, IndIL
DS1245YL* 128K x 85±10%LPM3470,100 Com, IndIL
DS1249AB 256K x 85±5%DIP3270,85,100 Com, IndIL
DS1249Y 256K x 85±10%DIP3270,85,100 Com, IndIL
DS1250AB 512K x 85±5%DIP32, PCM3470,100 Com, IndIL
DS1250BL* 512K x 85±5%LPM3470,100 Com, IndIL
DS1250W 512K x 83.3±0.3VDIP32, PCM34150 Com, IndIL
DS1250Y 512K x 85±10%DIP32, PCM3470,100 Com, IndIL
DS1250YL* 512K x 85±10%LPM3470,100 Com, IndIL
DS1258AB 128K x 165±5%DIP4070,100 Com, IndIL
DS1258W 128K x 163.3±0.3VDIP40150 Com, IndIL
DS1258Y 128K x 165±10%DIP4070,100 Com, IndIL
DS1265AB 1M x 85±5%DIP3670,100 Com, IndIL
DS1265Y 1M x 85±10%DIP3670,100 Com, IndIL
DS1270AB 2M x 85±5%DIP3670,100 Com, IndIL
DS1270Y 2M x 85±10%DIP3670,100 Com, IndIL
DS2227 128Kx32,256Kx16,512Kx85±10%72pin SIP STIK70,100,120 ComIL
Энергонезависимая статическая память с супервизором и контролем внутренней батареи
DS1330AB 32K x 85±5%PCM3470,100 Com, IndIL
DS1330WP 32K x 83.3±0.3VPCM34150 Com, IndIL
DS1330Y 32K x 85±10%PCM3470,100 Com, IndIL
DS1345AB 128K x 85±5%PCM3470,100 Com, IndIL
DS1345WP 128K x 83.3±0.3VPCM34150 Com, IndIL
DS1345Y 128K x 85±10%PCM3470,100 Com, IndIL
DS1350AB 512K x 85±5%PCM3470,100 Com, IndIL
DS1350WP 512K x 83.3±0.3VPCM34150 Com, IndIL
DS1350Y 512K x 85±10%PCM3470,100 Com, IndIL
Энергонезависимая статическая память с часами реального времени
DS1243Y 8K x 85±10%DIP28120,150,200 ComPhantom RTC
DS1244Y 32K x 85±10%DIP28120,150,200 ComPhantom RTC
DS1244Y 32K x 85±10%DIP28,PCM3470;100 ComPhantom RTC
DS1244W 32K x 83.3±0.3VDIP28,PCM34120;150 ComPhantom RTC
DS1248Y 128K x 85±10%DIP32120,150,200 ComPhantom RTC
DS1251Y 512K x 85±10%DIP32120;150 ComPhantom RTC
DS1543 8K x 85±10%DIP28,PCM3470;100 ComRTC,WDT,Alarm
DS1543W 8K x 83.3±0.3VDIP28,PCM34120;150 ComRTC,WDT,Alarm
DS1553 8K x 85±10%DIP28,PCM3470;100 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1553W 8K x 83.3±0.3VDIP28,PCM34120,150 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1554 32K x 85±10%DIP32,PCM3470,100 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1554W 32K x 83.3±0.3VDIP32,PCM34120,150 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1556 128K x 85±10%DIP32,PCM3470,100 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1556W 128K x 83.3±0.3VDIP32,PCM34120,150 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1557P 512K x 85±10%PCM3470,100 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1557WP 512K x 83.3±0.3VPCM34120,150 ComRTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1642 2K x 85±10%DIP2470,100,120,150 ComRTC
DS1643 8K x 85±10%DIP28,PCM3470,100,120,150 ComRTC
DS1644 32K x 85±10%DIP28,PCM34120,150 ComRTC
DS1646 128K x 85±10%DIP32,PCM34120,150 ComRTC
DS1647 512K x 85±10%DIP32,PCM34120,150 ComRTC
DS1742 2K x 85±10%DIP2470,100 ComRTC-Y2K
DS1742W 2K x 83.3±0.3VDIP24120,150 ComRTC-Y2K
DS1743 8K x 85±10%DIP28,PCM3470,100 ComRTC-Y2K
DS1743W 8K x 83.3±0.3VDIP28,PCM34120,150 ComRTC-Y2K
DS1744 32K x 85±10%DIP28,PCM3470,100 ComRTC-Y2K
DS1744W 32K x 83.3±0.3VDIP28,PCM34120,150 ComRTC-Y2K
DS1746 128K x 85±10%DIP32,PCM3470,100 ComRTC-Y2K
DS1746W 128K x 83.3±0.3VDIP32,PCM34120,150 ComRTC-Y2K
DS1747 512K x 85±10%DIP32,PCM3470,100 ComRTC-Y2K
DS1747W 512K x 83.3±0.3VDIP32,PCM34120,150 ComRTC-Y2K


Примечание:
  • LPM (Low Profile Module) - низкопрофильный модуль с 34 выводами, помещаемый в стандартную 68 выводную панельку для микросхем в корпусе PLCC
  • PCM (Power Cap Module) - низкопрофильный модуль с 34 выводами для монтажа на поверхность, имеющий дополнительную съемную часть (power cap) DS9034PC с литиевой батарейкой. Все приборы в таком корпусе имеют в обозначении суффикс P
  • RTC (Real Time Clock) - часы реального времени
  • RTC-Y2K - Y2K-совместимые часы реального времени
  • WDT (Watch Dog Timer) - сторожевой таймер
  • Alarm - генерация прерывания при совпадении текущего времени с заданным
  • IL - изолирующий слой для отключения внутренней батареи до первого включения Vcc
  • Все приборы, помеченные знаком * не рекомендуется использовать для новых разработок

Cross-reference NV SRAM

Dallas
Semiconductor		 Benchmarq STMicroelectronics Memory
Density
DS1220AB-XXX
M48Z02-XXXPC12K x 8
DS1220AB-XXX-IND
M48Z02-XXXPC62K x 8
DS1220AD-XXX
M48Z12-XXXPC12K x 8
DS1220AD-XXX-IND
M48Z12-XXXPC62K x 8
DS1225AB-XXXbq4010MA-XXXM48Z08-XXXPC18K x 8
DS1225AB-XXX
M48Z58-XXXPC18K x 8
DS1225AB-XXX-INDbq4010MA-XXXN
8K x 8
DS1225AD-XXXbq4010YMA-XXXM48Z18-XXXPC18K x 8
DS1225AD-XXX
M48Z58Y-XXXPC18K x 8
DS1225AD-XXX-INDbq4010YMA-XXXNM48Z18-XXXPC68K x 8
DS1230AB-XXXbq4011MA-XXXM48Z30-XXXPM132K x 8
DS1230AB-XXX
M48Z32-XXXPC132K x 8
DS1230AB-XXX
M48Z35-XXXPC132K x 8
DS1230AB-XXX-INDbq4011MA-XXXN
32K x 8
DS1230Y-XXXbq4011YMA-XXXM48Z30Y-XXXPM132K x 8
DS1230Y-XXX
M48Z32Y-XXXPC132K x 8
DS1230Y-XXX
M48Z35Y-XXXPC132K x 8
DS1230Y-XXX-INDbq4011YMA-XXXN
32K x 8
DS1245AB-XXXbq4013MA-XXXM48Z128-XXXPM1128K x 8
DS1245AB-XXX-INDbq4013MA-XXXN
128K x 8
DS1245Y-XXXbq4013YMA-XXXM48Z128Y-XXXPM1128K x 8
DS1245Y-XXX-INDbq4013YMA-XXXN
128K x 8
DS1249AB-XXXbq4014MB-XXXM48Z256-XXXPL1256K x 8
DS1249Y-XXXbq4014YMB-XXXM48Z256Y-XXXPL1256K x 8
DS1250AB-XXXbq4015MA-XXXM48Z512-XXXPM1512K x 8
DS1250Y-XXXbq4015YMA-XXXM48Z512Y-XXXPM1512K x 8
DS1258AB-XXXbq4024MA-XXXM46Z128-XXXPM1128K x 8
DS1258Y-XXXbq4024YMA-XXXM46Z128Y-XXXPM1128K x 8
DS1265AB-XXXbq4016MC-XXX
1M x 8
DS1265Y-XXXbq4016YMC-XXX
1M x 8
DS1270AB-XXXbq4017MC-XXX
2M x 8
DS1270Y-XXXbq4017YMC-XXX
2M x 8